NIS5112D1R2G
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
NIS5112D1R2G
1574 шт.
838.25 ₽
Описание
ON SEMICONDUCTOR - NIS5112D1R2G - Электронный предохранитель, N-канальный FET высокой стороны, 9В до 18В питание, SOIC-8
Номенклатурный номер
OC2724259
Условия
Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги
Срок поставки: 4-7 недель
-
1+838.25 ₽
-
10+697.03 ₽
-
25+646.91 ₽
-
50+546.69 ₽
-
100+446.46 ₽
-
250+437.35 ₽
-
500+396.35 ₽
-
1000+389.51 ₽
NIS5112D1R2G характеристики:
| Линейка Продукции | - |
| Минимальное Напряжение Питания | 9 |
| Максимальное Напряжение Питания | 18 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 |
| Количество Выводов | 8 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Тип Корпуса ИС | SOIC |
| Функция Микросхемы | Электронный Предохранитель |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
