MJ11012G
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
MJ11012G
3 шт.
2443 ₽
Описание
ON SEMICONDUCTOR - MJ11012G - Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 30 А, 200 Вт, TO-204AA, Through Hole
Номенклатурный номер
OC1611317
Условия
Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги
Срок поставки: 4-7 недель
-
1+2443 ₽
-
10+2032.46 ₽
-
25+1818.52 ₽
-
100+1604.58 ₽
-
300+1572.77 ₽
MJ11012G характеристики:
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 200 |
| Количество Выводов | 2 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 60 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Рассеиваемая Мощность | 200 |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-204AA |
| DC Усиление Тока hFE | 1000 |
| DC Ток Коллектора | 30 |
| Частота Перехода ft | - |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
