FF200R12KE3HOSA1
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
FF200R12KE3HOSA1
10 шт.
26789.91 ₽
Описание
INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 295 А, 1.7 В, 1.05 кВт, 125 °C, Module
Номенклатурный номер
OC2726122
Условия
Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги
Срок поставки: 4-7 недель
-
1+26789.91 ₽
-
5+25020.01 ₽
-
10+23250.12 ₽
FF200R12KE3HOSA1 характеристики:
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 |
| Количество Выводов | - |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2 |
| Рассеиваемая Мощность | 1.05 |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| DC Ток Коллектора | 295 |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7 |
| IGBT Termination | Stud |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125 |
| IGBT Configuration | Dual |
| IGBT Technology | IGBT 3 [Trench/Field Stop] |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
