IS25LQ010B-JNLE

По запросу

Описание

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS25LQ010B-JNLE - Флеш память, Последовательная NOR, 1 Мбит, 128К x 8бит, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)

OC2901147

Cрок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Линейка Продукции	3V Serial NOR Flash Memories
Минимальное Напряжение Питания	2.3
Максимальное Напряжение Питания	3.6
Максимальная Рабочая Температура	105
Минимальная Рабочая Температура	-40
Размер Памяти	1
Количество Выводов	8
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти	SOIC
Время Доступа	-
Тип Интерфейса ИС	SPI
Тактовая Частота	104
Тип Flash Памяти	Последовательная NOR
Конфигурация Флэш-памяти	128К x 8бит
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3 - 168 часов