FF600R12ME4B72BOSA1

По запросу

Описание

INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 600 А, 1.75 В, 175 °C, Module

OC3227669

Cрок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.75
Количество Выводов	11
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2
Линейка Продукции	EconoDUAL3 Series
IGBT Configuration	Dual [Half Bridge]
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Максимальная Температура Перехода Tj	175
IGBT Termination	Stud
Максимальная Рабочая Температура	175
IGBT Technology	IGBT 4 [Trench/Field Stop]
DC Ток Коллектора	600
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Рассеиваемая Мощность	-
Производитель	INFINEON