NCV57200DR2G

29 шт.
328.01

Описание

ON SEMICONDUCTOR - NCV57200DR2G - IGBT Gate Driver, High Side and Low Side, -40 °C to 125 °C, SOIC-8

Номенклатурный номер

OC3528477

Условия

Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги

Срок поставки: 4-7 недель
  • 1+
    328.01
  • 10+
    264.23
  • 50+
    239.18
  • 100+
    212.3
  • 250+
    190.2
  • 500+
    184.73
  • 1000+
    172.21
  • 2500+
    159.45

NCV57200DR2G характеристики:

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Привода SOIC
Максимальная Рабочая Температура 125
Задержка по Входу 90
Конфигурация Привода Высокая Сторона и Низкая Сторона
Задержка Выхода 90
Input Type Non-Inverting
Sink Current 2.3
Количество Каналов 1
Source Current 1.9
Пиковый Выходной Ток 2.3
Минимальное Напряжение Питания -
Максимальное Напряжение Питания 20
Количество Выводов 8
Минимальная Рабочая Температура -40
Линейка Продукции -
Power Switch Type IGBT
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
Каталог товаров
Регистрация