GD1000HFX170P2S
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
GD1000HFX170P2S
По запросу
Описание
STARPOWER - GD1000HFX170P2S - БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.604 кА, 1.95 В, 6.25 кВт, 150 °C, Module
Номенклатурный номер
OC3549210
Условия
Cрок поставки и цену сообщим по вашему запросу
GD1000HFX170P2S характеристики:
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 |
| Количество Выводов | 12 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7 |
| Рассеиваемая Мощность | 6.25 |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| DC Ток Коллектора | 1.604 |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.95 |
| IGBT Termination | Stud |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 |
| IGBT Configuration | Half Bridge |
| IGBT Technology | Trench Field Stop |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
