GD100HFX170C1S
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
GD100HFX170C1S
10 шт.
15383.7 ₽
Описание
STARPOWER - GD100HFX170C1S - БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 168 А, 1.85 В, 632 Вт, 150 °C, Module
Номенклатурный номер
OC3549217
Условия
Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги
Срок поставки: 4-7 недель
-
1+15383.7 ₽
-
5+14793.91 ₽
-
10+13651.92 ₽
-
50+13507.36 ₽
GD100HFX170C1S характеристики:
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 |
| Количество Выводов | 7 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7 |
| Рассеиваемая Мощность | 632 |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| DC Ток Коллектора | 168 |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85 |
| IGBT Termination | Stud |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 |
| IGBT Configuration | Half Bridge |
| IGBT Technology | Trench Field Stop |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
