GD650HFX170P1S
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
GD650HFX170P1S
1 шт.
65859.77 ₽
Описание
STARPOWER - GD650HFX170P1S - БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.073 кА, 1.9 В, 4.2 кВт, 150 °C, Module
Номенклатурный номер
OC3549271
Условия
Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги
Срок поставки: 4-7 недель
-
1+65859.77 ₽
GD650HFX170P1S характеристики:
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 |
| Количество Выводов | 10 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7 |
| Рассеиваемая Мощность | 4.2 |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| DC Ток Коллектора | 1.073 |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.9 |
| IGBT Termination | Stud |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 |
| IGBT Configuration | Half Bridge |
| IGBT Technology | Trench Field Stop |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
