BSM180D12P3C007
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
BSM180D12P3C007
6 шт.
108061.68 ₽
Описание
ROHM - BSM180D12P3C007 - Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 180 А, 1.2 кВ, Module
Номенклатурный номер
OC3573221
Условия
Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги
Срок поставки: 4-7 недель
-
1+108061.68 ₽
BSM180D12P3C007 характеристики:
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 |
| Количество Выводов | - |
| Рассеиваемая Мощность | 880 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | - |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | - |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6 |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Непрерывный Ток Стока | 180 |
| MOSFET Configuration | Half Bridge |
| Производитель | ROHM |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
